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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。" b* l; o' i5 L9 Q. K- o
9 d; @# X. j& \* j$ m! H. V
推土机实际晶体管数目大揭秘3 V% {( L3 Y, ]+ j5 x. \, x

9 a1 p/ V) q" a' T. J3 i2 iAMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。
! a1 l8 B# z" F% B% B) m
8 d+ O2 S9 \' _* B市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼$ \/ a- P0 a0 d: b* O
2 J, z2 y8 a- }: o3 s# i5 \: v5 N  A7 S
CPU参数比较6 R' E5 `6 Z- k$ B
CPU0 ^, p" G( [+ M# ^4 j
       
) O( Q/ q) a6 i$ M制程工艺
/ `& b% l! F+ |        ' l; e) Q+ W) K9 ~" a8 R
核心数量% d4 t* ^: j4 ]  W& Q5 F
        4 r3 W1 ?( F# F4 Y
晶体管数量
% `$ X# d/ @: `/ Y8 O' X. `       
1 s7 I. l# k$ V- iDie面积
' r0 g" B  b8 T. I$ }$ ?AMD Bulldozer. b+ P& `0 M% S; g5 q5 K
        2 a3 k) R8 I8 [+ J
32nm
7 q+ Y) H% V, }        / L7 S) W4 S9 Z  A; {
8
# |; T3 G6 p2 Q1 p8 T. \+ M       
  k) g  I$ v8 v7 _% `) z20亿) _- t; x5 @* q% B% T- c% C9 q  ?  @
       
0 ~: x, d& o: D7 S" b" V6 b315mm2- B! Z$ w' N5 a
AMD Thuban
0 p. a" |0 s) ]% ~3 P9 x& ]; O       
2 g# h2 |. y/ U8 @45nm
1 u; k. H- _7 h) l8 [' S3 [' \$ Z          t( }3 r3 g8 o4 y: X9 f
6% }3 b# E6 [' f3 c# e- }! \
       
6 {3 K9 I$ o1 ~' B+ G4 Y9.04亿
$ w) {7 Q% ?+ q3 b$ x        % i  z$ q: o6 }. e; E
346mm2
1 _$ R8 _2 ]+ n' Q- BAMD Deneb
' k7 g6 A; i# t. K7 }        * V( n+ D% C3 ]2 g1 V8 s
45nm
. r3 [) |3 x+ Z9 I          m6 j$ W* |! X  k/ Q- P6 J
43 I! o$ x! _# m2 H, }
        5 m, F$ p9 f7 @& n0 v$ N
7.58亿
# e7 E3 g. u# N9 f6 y        ( x* @. T; Z: I' L: {9 C9 B
258mm2* r2 W2 t" h8 g, c2 N$ H+ R
Intel Gulftown; _7 `2 ^2 _: T
       
0 a8 k% P) j, S$ D, B: P% s  ~32nm0 K$ Z7 s, o" K' T
       
. m$ B/ H- Y; c6
7 v3 B) n; i# D5 P: [6 x       
$ w7 d6 \2 Z' N( U! n3 z11.7亿' B( e, d4 |  ?& n- d4 V" T
       
/ P2 O7 A( ]0 T, S* S  K240mm2
3 d  ?( e) f; |# J- T6 {Intel SNB-E
0 B* m7 w; B) K3 V- J        6 Q/ w! X5 N3 A' ]
32nm* i" E* m- L) y! k/ M6 m
       
7 [$ H& Z; [9 O# ^3 \3 d* D$ y6# w5 z$ z! ?+ ~
       
% B0 u% w8 z8 [6 p( D) W0 z22.7亿
- y6 i5 H' ]& O/ S        4 N  W, h2 H  O: q; ?, o
435mm2, y. p2 R% X7 {
Intel Nehalem
, g) R# F1 s! s" X" K& B        3 h& M' d4 O9 c+ b! P) V
45nm
' K& M3 T' H0 P( b4 C        ! B. S2 B" C) O" P7 F
4
# s) h# z4 t, O* V        4 E. u7 a6 ^8 {3 l& \8 l" ^' v
7.31亿! ]% ]$ ?" x1 {9 d" O3 A; d
        * b' v; w* {8 p
263mm25 A& S6 N0 t/ B, u/ ?. g" I- A8 r
Intel SNB" ^- p/ L# K# Z# {: H/ z& T! v
        " u2 N* y  N& r7 w- d
32nm9 |# M& ?" m) L$ ^
        ) P* i7 n. v( b& @& G& g7 S
4
  B+ G8 f' B/ f2 v, K- G       
8 C; E" O+ l/ D3 b3 C3 [5 C9.95亿( H) N& W. v# E% `) t: l; e- I( l
       
5 E( H8 Z+ E$ c: @) U1 B8 S216mm2
1 C5 @4 O( m9 t& t5 b4 r* B6 k; tIntel Lynnfield
4 H7 J6 x3 I3 I7 V7 r& H. y       
2 I0 G- N0 X! j45nm5 q. R1 S. F. ~9 S0 s
        5 ^7 R$ q+ W0 v
4
1 ~; w. w1 E9 m' h; m6 c; j7 S; k  f        ) ]5 j- @4 T/ \4 P
7.74亿
" \" Q3 X6 `2 c: h# W        4 p# M, z2 g: @& W
296mm2- E- u) N0 L: X5 t3 |) V) b
Intel Clarkdale
/ C: E) |) I1 B0 l( A+ @       
4 g: g+ }6 N6 c. L2 k3 m- C  k32nm
5 w: i; z; D7 ^5 E- Z+ h+ Y        6 ^2 R9 ?) ~: `( x0 W/ D3 K, e
2& c2 ~# B: [' K( Y$ v% q5 K: {
       
( w# _1 `9 H1 h$ s# e1 y3 b" D/ O3.84亿
3 q# s4 Q6 |* ^1 M& Q1 @$ Z( C" [8 k        , K4 E( w+ u! i( z1 O
81mm2
7 g/ g% I9 c' ]; ]0 W7 TIntel SNB(GT1)
  D3 ~( Y- N4 w$ G       
$ S5 G1 W% j) u- l32nm5 C1 T# f4 @. ]
       
: H+ o- I4 B# f; R2
' k+ n1 z- |& w* r5 y7 a# @* [        3 D3 [3 j: y1 v  Z$ W! g, n  s
5.04亿
7 Y5 x! l3 I5 H, l$ J$ O        % J2 I' j- x$ {( Q7 |( G2 O/ H
131mm2: q& o) }& K. y% G1 @
Intel SNB(GT2); W: Y2 t% }3 {) ?  ]; g
        ( U# h$ g9 p/ o  B7 ~  ^2 ?
32nm: ?, O/ ]" t7 I/ t( Y$ T% h! p
        : c+ l. {  C3 l) Y5 L7 W! T( J
2& B+ Q; L" i& n% M( u8 R5 y
        3 d' c# T/ k4 v! N
6.24亿
, ]5 I1 z" r9 s  Q1 O6 u       
! M  c  E& v7 d6 ^4 w+ f149mm2$ E& D$ A/ j% Z8 }
5 N6 \, O3 T+ R& F; B1 R- D0 U
尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。0 b9 w; }1 M# |3 ?. K

) ~* f7 ?" P: D, O3 [% o* Z推土机实际晶体管数目大揭秘
& O8 j# }3 k5 T# s
7 @% a) F' O* e' W# G9 r) u" Y晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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