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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。. ]/ `1 W. Z/ d5 T1 l! F- _; {

% X& h# s$ s( R1 o; \8 J0 b& Z推土机实际晶体管数目大揭秘* G8 j0 D) o% K; a
0 |+ ^+ k+ J- q* }
AMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。
2 a: S, _8 ^. \4 T5 R2 W% U, g
. j3 A4 V& Z9 E+ E+ J3 x市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼
7 l- p6 L7 n' Q' ^9 L4 w  R
* p+ G7 {8 U9 Y( m. XCPU参数比较' g$ @% k% l3 ]6 u2 W# e
CPU
& R/ H& ^% i  R. w3 n9 j       
4 ?) T) l8 f9 S1 V0 T3 j- m制程工艺5 V' f/ x7 s) w8 b
       
% I& d- w( ^9 |/ ]' Y0 s核心数量
$ P# J& W, R  M        7 w3 `  X8 k0 P% }/ b
晶体管数量
4 F% k* {& O7 ^' `$ b        % _8 Y6 {' P" h+ I" C8 `& D0 l. k* f5 H
Die面积
2 D, k! V9 d3 A' z, Z0 v+ q1 IAMD Bulldozer5 K! F& x' W" J1 g1 J. j2 _
        9 s% i3 H1 ?- r" A9 O5 k# Z- _
32nm" c  G* ~1 F: a6 s2 g. }
       
( ]- O  g: X) V! o& N, U6 O9 r86 i" M1 n3 D4 J1 F* Z
        / i9 B. A* C1 c# A: [
20亿* B+ z3 M8 t5 n( w) l
       
( w' ?: e5 E3 }% R315mm2' |" E; r( M* `8 h; h
AMD Thuban; G0 I" E; c" R8 q) h) ?* b2 [5 @
        ! ^- x, ]5 \4 f
45nm, C+ B/ D! S1 v
       
  |2 S8 x: V7 j3 U8 e( L, E6& b3 P  G2 f1 D" Q
       
! C7 u' k. W4 o% h7 n9 i) K; ?9.04亿% B( l2 C) u+ q! O$ B
       
6 [2 q& `4 t5 N$ z1 d* S0 R346mm2# z: \1 q+ O' n0 g- E+ I/ h; b2 e
AMD Deneb3 h: E7 u/ f4 B) @$ N
        ( b7 M5 G* b3 b5 D% D5 L
45nm
6 d) \% P# v7 f; `% C9 O+ C! [1 }. p        3 I$ l% M- @  L2 t  ^! g( y
4
0 |3 P2 I/ d% J) v       
$ Z& M( p& _- A( M4 o6 B7.58亿
3 Z0 d8 q. G" s: ?        ) I$ x' `( h+ q( C& \
258mm25 Q% x( I1 t3 {
Intel Gulftown
* d; e9 e  S' j" j# J        - k2 P) Z$ \  h! a/ B" z( G
32nm
$ \* x" X4 W! o; u9 F        " g+ k4 \; Q  Z2 `" l
6
7 c. m# e. f  Q- x8 y       
) W' ]  `1 B- j. _1 J$ k, r11.7亿
6 L! y, U8 S5 n4 F: ?; |       
3 w1 E- I7 n/ O& @240mm29 O5 R! m5 m1 Y' k
Intel SNB-E# L* V- W1 |: o4 z) X+ E7 x3 ?
       
. c' n$ F% F- X2 d* c32nm
& z! J; a  I4 H0 Z       
7 u% |$ t8 w. V1 s: z6 N1 P) Y6
0 h; w  {9 R$ E4 V) q/ m( l9 u* Y" i       
# |9 g7 P% x2 m0 Y" R# q2 r4 p  V22.7亿# ~3 s5 B9 R6 Z# d; u
        # u5 y! A# D- ?) h% A( s7 O
435mm2
: n3 J) T/ E4 T2 YIntel Nehalem
* j& ^; m2 l( {& J7 N       
% g$ n, H4 |# `; B. O45nm3 f, E7 t% z& }) v0 @$ E% S
       
2 \! E: D2 i8 z6 p' }4+ k6 v5 y9 r3 M4 S$ n( v
        9 C+ H- l. }. ?7 t
7.31亿
7 @! \4 a; v, F& v9 y1 `2 N, _8 S8 G       
3 k8 X7 e( g4 w263mm2! U$ s& k  Y/ }8 A
Intel SNB* |% @- q) p- L8 d4 ?# H
        ) ?" k9 B! l4 Q* X9 P% d  [5 I8 C
32nm' U4 @+ ^* z  b3 ^8 d
       
; O' Z4 L3 V: j9 W( l# `43 @. @# D; Q/ S1 S: z
        - g+ k4 z2 R0 B( d
9.95亿
, v$ R- r; [" ~       
: G6 p" Q2 ?6 s5 k9 X216mm2
8 [0 S& I3 v! K/ Z$ |Intel Lynnfield
1 |# g" h; G3 x8 t* S2 t. [' I& m& }       
1 a  H8 h* X. C  {+ L, p45nm) z6 i& |5 A0 e2 r
        . ~1 I8 S. U$ j' V  N8 U
4% [5 B0 T/ W# n7 ^2 C/ W1 F
        ) ~/ K; ~3 C5 s- ]. ]
7.74亿- [" S' o: W/ v# b! l9 k% k
       
, h/ t, P+ A1 n; g- ^& z  r% M  f296mm2$ W8 `# ^, H1 ~- J
Intel Clarkdale
2 L4 o1 i4 e( A/ b        3 \  ]$ f! P; K+ n) d
32nm0 C7 W& v7 X& u' [2 }- d) C( A
       
0 N4 c6 _, I2 a3 v, q, Y2
$ l2 F' C$ @2 ?; t3 Q/ q8 @        0 J3 G2 m9 v3 M4 W6 s
3.84亿( ^4 r& B$ f+ q6 d' A( M
        4 r8 L! m5 A0 ^% B
81mm2
( {) L# e% `* x& Y7 p& u2 SIntel SNB(GT1)
5 l. S$ C. O6 q5 I% I/ l/ y) q        7 y5 D) f9 z: J! s- }, f$ _* N
32nm1 U: g' |+ D1 F) L2 n% f
       
4 L7 p) `( r4 }+ g: o! I$ }2
) x  ]9 h0 H. c9 k9 Y% S4 _        ) {# ^: v4 v2 m5 I2 Q
5.04亿
& R. r3 A- Z* O7 t3 U- S% a        ! f1 y5 |0 m& I8 f; Y3 V
131mm2
7 v7 _+ \% f  `: cIntel SNB(GT2)
( L; R1 w# l& o       
7 Y  F8 M; A2 u( p32nm; P" P5 j# I& N- g/ a. e. j
        1 |4 Z' s4 P' V  G( c
2
0 O0 ~* N9 n  q/ N. f3 V       
0 J1 ^) R8 r7 Q. n" {' u. U0 H  ?6.24亿
9 J/ W5 M% ^0 E$ q4 B7 l$ t       
& V9 ?5 X* L) I149mm2) m% g, ]) ^- J
: w! o# [2 D$ u! Z+ r/ O5 r
尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。
6 j, a2 ]& @) b, b
& P" l. F$ e: K; z8 i  M) B% r5 y推土机实际晶体管数目大揭秘# j) M# l# K) ]( v7 _

) p* l. p- O2 W晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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